Lenovo 8GB DDR4 3200 MHz SODIMM Memory Module
Este módulo de memoria Lenovo tiene 8 GB y opera a una velocidad de 3200 MHz, funcionando en la interfaz DDR4 SODIMM. Es compatible con portátiles Lenovo y es fabricado por Samsung.
Este módulo de memoria Lenovo tiene 8 GB y opera a una velocidad de 3200 MHz, funcionando en la interfaz DDR4 SODIMM. Es compatible con portátiles Lenovo y es fabricado por Samsung.
Memoria RAM SODIMM de 16GB DDR4 a 3200MHz fabricada por Samsung para equipo Lenovo. FRU5M30V06970, part number 889211.
Samsung M471A2K43EB1-CWE módulo de memoria DDR4 de 16 GB con frecuencia de 3200 MHz para servidores de alto rendimiento.
Módulo de memoria Samsung 64GB M393A8G40BB4-CWE, 1 x 64GB DDR4 con frecuencia de 3200 MHz y ECC. Origin Storage ofrece un módulo confiable para satisfacer las necesidades del usuario en cuanto a capacidad y rendimiento.
Samsung M471A2K43DB1-CTD módulo de memoria con capacidad de 16 GB, compuesto por dos módulos de 8 GB, funcionando a una velocidad de 2666 MHz, tipo DDR4 y compatible con ECC.
Con su pantalla HD de 14 pulgadas y procesador Intel Celeron N4500 a 2,8 GHz, el Samsung Galaxy Chromebook Go ofrece rendimiento ágil con 4 GB RAM y 64 GB eMMC, conectividad Wi‑Fi 6 y Chrome OS para trabajo y ocio.
Memoria RAM ECC Regulada de Samsung, 16GB DDR4 a 3200MHz con latencia CL22. Ideal para servidores y estaciones de trabajo que requieren alta velocidad, confiabilidad y seguridad en el manejo de datos.
Módulo de memoria Samsung M393A8G40AB2-CWE de 64 GB, DDR4 3200 MHz ECC con capacidad para 1 x 64 GB.
Este producto es un módulo de memoria HP SoDIMM de 8GB, con velocidad DDR4 a 3200MHz. Fabricado por Samsung, ofrece rendimiento y eficiencia energética en dispositivos compatibles con DDR4.
Memoria Samsung M378A1K43EB2-CWE, módulo de 8GB, 1 x 8GB, DDR4, 3200 MHz. Ideal para actualizar la capacidad y el rendimiento de su equipo.
Añade un módulo SODIMM DDR4 de 8 GB a tu portátil HP, con velocidad de 2133 MHz y latencia CL15 para multitarea fluida y juegos ligeros. Su diseño compacto maximiza el rendimiento sin ocupar espacio adicional.
Memoria RAM SODIMM 16GB Lenovo de alta velocidad y capacidad. Ideal para actualizar tu computadora portátil o de escritorio. Hecha por Samsung.
Panel bahía disco duro de Supermicro MCP-220-00043-0N para ampliar capacidad y rendimiento en servidores. Conexión SAS/SATA, compatible con discos de hasta 8 TB, soporta RAID 0/1/5/6/10/30/50/60.
Mejora la capacidad de tu portátil con esta memoria RAM HP Sodimm 8GB DDR4‑2400 MHz Samsung B; su módulo SO‑DIMM compacto y fiable eleva el rendimiento en multitarea y aplicaciones exigentes.
Samsung (8435280900917 / M378A5244CB0-CRC) - Altura: 31,2 mm - PC/servidor - 288-pin DIMM - DDR4 - Diseño de memoria: 1 x 4 GB - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C - Memoria interna: 4096 MB | Modulos x
Memoria DDR4 Samsung de 32 GB, 2666 MHz, con capacidad para operar en ambientes de alta densidad y rendimiento mejorado. Especificaciones técnicas avanzadas, ideal para aplicaciones exigentes. Registro ECC y Dual Rank.
Portátil Samsung Galaxy Book3 360 con pantalla táctil de 13,3, procesador Intel Core i5-1340P, 16GB de RAM y disco SSD de 512GB.
Este producto es un módulo de memoria Sodimm HP L34199-981 de 16GB DDR4 con velocidad de 3200 MHz fabricado por Samsung.
Módulo de memoria HP L34199-971 con capacidad de 16GB DDR4 a 3200MHz. Este módulo es compatible con portátiles HP y ofrece alto rendimiento y gran velocidad para el usuario.
Memoria RAM Samsung DDR4 de 32GB a 3200MHz con capacidad para un solo módulo de 32GB, compatible con ECC y registrada para garantizar la confiabilidad en el rendimiento.
Módulo de memoria DDR4 SO‑DIMM de 16 GB con velocidad de 2666 MHz, ideal para expandir la capacidad y rendimiento de laptops y mini-PCs compatibles. Su diseño compacto ofrece alta densidad y eficiencia energética.
Módulo de memoria DDR4 de 8GB, frecuencia 3200MHz, compatible con sistemas que admiten tecnología SO-DIMM.
Módulo de memoria RAM de 32 GB, tipo DDR4, con velocidad de 2933 MHz y diseño 2Rx4 para mayor capacidad y eficiencia.