Mémoire Dynamique G.Skill 8GB DDR3-1333

Présentation générale

Mémoire Dynamique G.Skill 8 GB DDR3‑1333 est un module DIMM 240‑PIN, conçu pour les systèmes de bureau et serveurs nécessitant une capacité fiable et performante. Ce composant se distingue par son architecture unbuffered (non‑puffé) et sa compatibilité avec la norme JEDEC PC3‑10667U.

Caractéristiques techniques détaillées

• Capacité totale : 8 GB (8192 MB) – idéal pour les applications multitâches, le montage vidéo et les jeux exigeants.
• Forme physique : DIMM à 240 broches, largeur de 133.3 mm, format standard pour la plupart des cartes mères modernes.
• Fréquence d’horloge : 1333 MHz (PC3‑10600), offrant un débit théorique maximal de 10 666 Mo/s.
• Latence CAS : CL9, avec des timings internes de 9‑9‑9‑24, garantissant une réponse rapide aux requêtes mémoire.
• Tension d’alimentation : 1.5 V, conforme aux spécifications DDR3 standard.
• Type de mémoire : DDR3 SDRAM, non‑ECC, sans protection intégrée contre les erreurs de données.
• Canal : Simple (single channel), mais compatible avec l’agrégation en dual ou quad channel sur les plateformes supportées.
• Construction : Unregistered unbuffered, ce qui signifie qu’il n’y a pas de registre entre le contrôleur mémoire et la puce DRAM, réduisant ainsi la latence.

Fonctionnement interne

Chaque module DDR3 fonctionne sur une architecture SDRAM (Synchronous Dynamic Random‑Access Memory). Les données sont synchronisées avec le bus d’horloge du système, ce qui permet des accès rapides et prévisibles. Le CAS latency de 9 cycles indique que la mémoire met trois cycles supplémentaires après l’instruction CAS pour fournir les données demandées.

Mécanisme de timing

Les timings internes (RAS‑Precharge, RAS‑to‑CAS Delay, Row Active Time) sont tous fixés à 9 ou 24 cycles. Cela assure une cohérence dans la gestion des lignes d’adresses et minimise les conflits lors de l’accès simultané à plusieurs cellules mémoire.

Compatibilité et utilisation

Ce module est conçu pour être installé sur des cartes mères compatibles DDR3, que ce soit dans un environnement de bureau, un serveur léger ou une station de travail. Il peut être utilisé en mode mono‑channel ou combiné avec d’autres modules G.Skill Aegis pour atteindre des configurations dual ou quad channel.

Installation recommandée

• Assurez‑vous que la carte mère possède un slot DIMM 240‑PIN compatible DDR3.
• Alignez correctement le module avec l’encoche du slot, puis appliquez une pression uniforme jusqu’à ce que les loquets se verrouillent.
• Vérifiez dans le BIOS/UEFI que la fréquence et les timings sont reconnus comme 1333 MHz / CL9.

Avantages clés

• Performance fiable : La combinaison de 1333 MHz et de CL9 offre un équilibre optimal entre vitesse et latence, adapté aux tâches intensives en mémoire.
• Compatibilité étendue : Le format DIMM 240‑PIN est universellement reconnu par les plateformes DDR3.
• Consommation maîtrisée : La tension de 1.5 V assure une consommation énergétique raisonnable, idéale pour les systèmes à faible puissance.
• Simplicité d’installation : Un module unique sans registre ni tampon facilite le montage et la maintenance.

Conclusion

Le Mémoire Dynamique G.Skill 8 GB DDR3‑1333 représente une solution robuste pour les utilisateurs recherchant une capacité mémoire conséquente, une latence maîtrisée et une compatibilité universelle. Sa conception unbuffered et ses spécifications conformes aux normes DDR3 en font un choix privilégié pour les environnements de travail exigeants.