Samsung M471A1K43CB1-CTD

Entdecken Sie schnelle Samsung 8GB DDR4 SODIMM RAM, 2666MHz PC4-21300, effiziente Leistungssteigerung für Laptops mit dem zuverlässigen M471A1K43CB1-CTD Modul

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SAMSUNG M471A1K43CB1‑CTD – 8 GB DDR4 SO‑DIMM Speicher

Produktbeschreibung:

  • Kapazität: 8 GB (ein Modul)
  • Typ: DDR4 SDRAM
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4‑21300, PC4‑2666V)
  • Pin-Anzahl: 260‑Pin SO‑DIMM
  • Layout: 1Rx8 – ein Rank mit 8‑Bit Bus
  • Spannung: 1,2 V (typisch für DDR4)
  • Formfaktor: SO‑DIMM (für Laptops, Ultrabooks, kleine Desktops und NAS-Systeme)
  • Kompatibilität: Universell mit allen Geräten, die DDR4 2666 MHz SO‑DIMM unterstützen – z. B. HP EliteBook, Lenovo ThinkPad, Dell XPS, Acer Aspire, MSI Gaming‑Notebooks, QNAP NAS, Synology DiskStation und viele weitere Modelle.

Technische Highlights:

  • Hohe Bandbreite: 21,3 GB/s pro Kanal – ideal für datenintensive Anwendungen wie Videobearbeitung, 3D‑Rendering oder große Datenbanken.
  • Langlebig und zuverlässig: Samsung ist bekannt für stabile Speicherlösungen mit hoher MTBF (Mean Time Between Failures).
  • Energieeffizient: Durch die niedrige Betriebsspannung von 1,2 V sinkt der Stromverbrauch – besonders vorteilhaft in mobilen Geräten.
  • Kompatibel mit Dual‑Channel‑Konfigurationen: Für maximale Leistung kann ein zweites Modul derselben Spezifikation eingesetzt werden. Die Kombination aus zwei M471A1K43CB1‑CTD Modulen ergibt 16 GB DDR4, was die Performance von Multitasking und speicherintensiven Anwendungen deutlich steigert.

Anwendungsbereiche:

  • Professionelle Video- und Audio‑Produktion – dank hoher Bandbreite flüssiges Streaming von 4K‑Material.
  • 3D‑Modellierung und CAD‑Software – schnelle Datenzugriffe reduzieren Renderzeiten.
  • Gaming auf Notebook‑Plattformen – verbesserte Ladezeiten und höhere Frameraten bei modernen Titeln.
  • Business‑Anwendungen – stabile Leistung für Office, E‑Mail und Cloud‑Services.
  • NAS‑ und Server‑Umgebungen – zuverlässiger Speicher für Datenbanken, Virtualisierung und Backup‑Lösungen.

Installation & Upgrade:

  1. Stellen Sie sicher, dass das Gerät ausgeschaltet und vom Stromnetz getrennt ist.
  2. Öffnen Sie die RAM‑Fachabdeckung des Geräts (bei Laptops meist an der Unterseite).
  3. Lösen Sie vorsichtig den vorhandenen Speicher (falls vorhanden) oder setzen Sie das neue Modul in den freien Slot ein. Achten Sie darauf, dass die Kerben exakt ausgerichtet sind.
  4. Drücken Sie das Modul bis zum Einrasten – Sie sollten ein leichtes Klickgeräusch hören.
  5. Schließen Sie die Abdeckung und schalten Sie das Gerät wieder ein. Der Speicher sollte automatisch erkannt werden.

Wartung & Pflege:

  • Vermeiden Sie statische Elektrizität – verwenden Sie antistatisches Armband oder arbeiten Sie auf einer geerdeten Oberfläche.
  • Reinigen Sie die Kontakte gelegentlich mit einem trockenen, fusselfreien Tuch.
  • Speichern Sie das Modul in der Originalverpackung bei Nichtgebrauch, um Beschädigungen zu verhindern.

Qualitätssicherung:

  • Jedes Modul durchläuft strenge Tests für Speicherkonsistenz, Geschwindigkeit und Stromverbrauch.
  • Samsung verwendet fortschrittliche Fertigungstechnologien, um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Fazit:

Der SAMSUNG M471A1K43CB1‑CTD 8 GB DDR4 SO‑DIMM Speicher ist die ideale Wahl für Anwender, die auf Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz setzen. Ob im mobilen Einsatz, in einem kleinen Desktop oder als Ergänzung zu NAS- bzw. Serverlösungen – dieses Modul liefert konstant hohe Geschwindigkeiten und stabile Performance.

Hinweis: Für maximale Effizienz empfiehlt sich der Einsatz von zwei identischen Modulen in Dual‑Channel-Konfiguration, wodurch die Bandbreite verdoppelt wird.


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Bezeichner
Marke Samsung

Samsung ist eine koreanische Elektronikmarke, die vor allem für Fernseher, Smartphones und Tablet-PCs bekannt ist. Das Unternehmen wurde 1938 gegründet und ist heute einer der größten Elektronikhersteller der Welt.
MPN Samsung M471A1K43CB1-CTD
ID 28411707
Abmessungen / Gewicht
Hauptmerkmale

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Samsung M471A1K43CB1-CRC Komponente für: Laptops - Interner Speicher: 8 GB - Speicherfrequenz: 2400 MHz. Speicherelement: 260-pin SO-DIMM..CAS-Latenz: 17.
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