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32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM
Módulo de memoria RAM de 32GB, tipo DDR4 con velocidad de 2666MHz, compatible con servidores y sistemas empresariales.
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32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM
El 32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM es un módulo de memoria DDR4 diseñado específicamente para entornos empresariales y servidores que requieren alta fiabilidad, rendimiento consistente y protección contra errores. Su arquitectura dual rank con registro (buffered) garantiza una integración estable en sistemas críticos.
Arquitectura y Diseño
- Formato: DIMM de 288 pines, ideal para servidores y estaciones de trabajo de alta densidad.
- Configuración interna: 1 x 32 GB con una organización de chip X4 (4096 × 72).
- Dual Rank: Permite un mayor ancho de banda y mejor utilización del bus de memoria.
- Registro (Buffered): Reduce la carga eléctrica sobre el controlador de memoria, aumentando la estabilidad en configuraciones con múltiples módulos.
- Voltaje: 1.2 V, optimizado para eficiencia energética sin comprometer el rendimiento.
Especificaciones Técnicas Clave
| Característica | Valor |
|---|---|
| Capacidad Total | 32 GB (32768 MB) |
| Frecuencia de Operación | 2666 MHz (PC4-21300) |
| Latencia CAS | CL19 (19‑19‑19) |
| Tipo de Memoria | DDR4 SDRAM, DIMM 288‑PIN |
| E/S y Protección | ECC (Error Correcting Code) con Data Integrity Check activado. |
| Tipo de Registro | Registered (Buffer) |
| Voltaje Operativo | 1.2 V |
| Compatibilidad de Sistema | Diseñado para plataformas HPE y sistemas compatibles con DDR4 ECC. |
Beneficios Clave en Entornos Empresariales
- Fiabilidad Mejorada: La combinación de ECC y registro garantiza que los datos se corrijan automáticamente, reduciendo la probabilidad de fallos críticos.
- Rendimiento Consistente: La latencia CL19 y la frecuencia de 2666 MHz proporcionan un equilibrio óptimo entre velocidad y estabilidad en cargas de trabajo intensivas.
- Eficiencia Energética: El bajo voltaje de operación minimiza el consumo energético, lo que es esencial para centros de datos con altos requisitos de eficiencia.
- Escalabilidad: La arquitectura dual rank permite la expansión sin sacrificar rendimiento, ideal para servidores que requieren grandes cantidades de memoria.
Aplicaciones Típicas
Este módulo es perfecto para:
- Servidores de misión crítica (HP ProLiant, HPE Superdome)
- Plataformas de virtualización y contenedores que demandan alta densidad de memoria.
- Entornos de bases de datos empresariales donde la integridad de los datos es primordial.
- Aplicaciones de análisis en tiempo real y big data que requieren un acceso rápido a grandes volúmenes de información.
Compatibilidad con Sistemas HPE
El módulo está optimizado para la arquitectura de memoria de Hewlett Packard Enterprise, garantizando:
- Integración sin problemas en configuraciones de servidor HPE con soporte ECC.
- Soporte completo para el Data Integrity Check (DIC), una característica avanzada que verifica la integridad de los datos a nivel de bit.
- Compatibilidad con controladores de memoria y firmware actualizados por HPE, asegurando un rendimiento máximo en cualquier entorno empresarial.
Consideraciones de Instalación
- Asegúrese de que el sistema soporte módulos DDR4 ECC registrados antes de la instalación.
- Instale los módulos en pares para aprovechar al máximo la arquitectura dual rank y mantener la coherencia del bus.
- Verifique las especificaciones de voltaje y frecuencia en la documentación del servidor para evitar incompatibilidades.
Resumen Ejecutivo
El 32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM combina capacidad, rendimiento y fiabilidad en un solo módulo. Su diseño dual rank con registro y soporte ECC lo convierte en la elección ideal para servidores empresariales que demandan estabilidad a largo plazo y protección de datos sin comprometer el rendimiento.
Conclusión
Para organizaciones que dependen de sistemas críticos, este módulo ofrece una solución robusta que garantiza integridad de datos, eficiencia energética y escalabilidad. Su compatibilidad con la arquitectura HPE y su enfoque en la protección contra errores lo posicionan como un componente esencial para cualquier infraestructura de TI que busque confiabilidad y rendimiento sostenido.
| Este producto en Comparor | |
|---|---|
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Categoría
Este producto está catalogado en nuestra tienda en estas categorías
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- Memoria RAM para ordenador |
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Internacional
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| Colores
Colores predominantes en el producto |
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| Tags | HPE 32GB Dual Rank x4 PC4-2666V-R Smart CAS-19-19-19 Registered Memory |
| Identificadores | |
| Marca |  Hewlett Packard Enterprise es una empresa de tecnología que ofrece soluciones de TI para empresas de todos los tamaños. Ofrece soluciones de infraestructura, cloud, big data, seguridad y servicios. |
| MPN | Hewlett Packard Enterprise 815100-B21#0D1 |
| Modelo | Hewlett Packard Enterprise 815100-B21#0D1 |
| ID | 5220989 |
| Dimensiones / Peso | |
| Características principales | |
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Clasificación de memoria Tipo de tecnología de la memoria RAM, como DDR3, DDR4, DDR5 o LPDDR3. Este atributo indica el estándar físico y de rendimiento que utiliza el módulo, lo cual es esencial para verificar compatibilidad con la placa base y determinar las velocidades máximas soportadas.
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2 |
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Diseño de memoria Indica cuántos módulos de memoria están incluidos en el producto y la capacidad individual de cada uno, expresada con su unidad habitual (por ejemplo, GB). Este atributo ayuda a comprender la configuración interna de la memoria y facilita comparaciones entre productos.
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1 x 32 GB |
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ECC Indica si el producto cuenta con la característica o función especificada. El valor puede ser "Sí" (disponible) o "No" (no disponible).
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Sí |
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Frecuencia Valor que indica la frecuencia de operación o señal de un dispositivo, expresada en hertz (Hz). Representa cuántos ciclos por segundo se generan o reciben y es esencial para asegurar compatibilidad con fuentes de alimentación, redes u otros equipos. Se interpreta como un número con unidad de frecuencia.
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2666 MHz |
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Latencia Tiempo que tarda la memoria RAM en responder a una solicitud de lectura o escritura, medido típicamente en milisegundos (ms) o en ciclos de reloj. Los valores pueden expresarse como un número con unidad (por ejemplo, "4 µs" o "15 ms") o mediante códigos de latencia específicos del fabricante (por ejemplo, "CL16", "CL22").
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CL19 |
|
Memoria interna Capacidad de almacenamiento interno disponible en el dispositivo, expresada con su unidad de medida (por ejemplo, GB o MB). Indica la cantidad total de memoria que puede utilizarse para instalar aplicaciones, guardar datos y ejecutar el sistema operativo.
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32768 MB |
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Tipo de memoria Indica el tipo o modelo de la memoria de acceso aleatorio (RAM) instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
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288-PIN DIMM |
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Tipo de memoria con búfer Indica si la memoria RAM cuenta o no con un búfer interno que mejora su rendimiento y estabilidad. Los valores comunes son "Registered (buffered)" para memorias con búfer y "Unregistered (unbuffered)" para memorias sin él.
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REGISTERED (BUFFERED) |
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Tipo de memoria interna Indica el tipo o modelo de la memoria RAM instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
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DDR4 |
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Voltaje de memoria El voltaje de la memoria indica el nivel de tensión eléctrica que debe recibir o suministrar una unidad de memoria (RAM, flash, etc.). Se expresa en voltios (V) y puede ser un valor único o un rango. Este atributo es esencial para garantizar la compatibilidad entre la memoria y el controlador del sistema.
|
1.2 V |
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