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SSD internes (Solid State Drive)
Découvrez le SSD SAMSUNG 990 PRO M.2 1To - performances élevées avec PCIe Gen 4.0 x4 NVMe, vitesse d'écriture jusqu'à 7450Mb/s pour une réactivité maximale
Disque SSD interne Samsung 990 Pro avec 2 To de capacité, utilise la technologie NVMe et PCIe 4.0, offre un contrôle thermique intelligent et est compatible avec la PlayStation 5.
Le SSD Team Group CX2 est un disque dur à état solide avec une capacité de 256 Go. Il utilise la technologie de mémoire flash NAND 3D et possède une connectivité SATA III 2,5 pouces.
Technologie NVMe PCIe 3.0 - Jusqu'à 6x plus rapique d'un SSD SATA - Dynamic Thermal Guard - Format compact M.2 - Construit pour durer
Disque SSD M.2 1 To PCIe 4.0 avec mémoire flash NAND 3D NVMe, idéal pour les consoles PlayStation 5.
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Disque SSD interne Samsung 980 1 To avec mémoire NVMe M.2 et contrôle thermique intelligent. Capacité de 1 To avec interface PCIe 3.0 pour une performance optimale.
Disque SSD Goodram SSDPR-PX600-2K0-80 M.2 2 To PCI Express 4.0 avec 3D NAND NVMe, offrant une vitesse de lecture et d'écriture rapide et une grande capacité de stockage.
Disque SSD interne Samsung 860 EVO de 2,5 pouces avec une capacité de 500 Go et une interface SATA III MLC. Convient pour les ordinateurs portables et de bureau. Vitesse de lecture/écriture séquentielle rapide.
Disque SSD M.2 1 To PCI Express 4.0 avec mémoire flash NAND 3D et interface NVMe, offrant des vitesses de lecture/écriture rapides et une grande durée de vie.
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Disque SSD interne 2,5 pouces de 3,84 To avec technologie NVMe et PCIe 4.0 pour une vitesse de lecture/écriture améliorée.
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Disque SSD interne de 2To avec format M.2 et technologie 3D NAND, offrant des vitesses de transfert rapides et une grande capacité de stockage pour les ordinateurs de bureau ou portables.
12,7x plus rapide qu'un SSD classique grâce à l'interface PCIe 4.0 - Jouer pendant des heures sans risque de surchauffe grâce au système de contrôle thermique complet SAMSUNG - Installation sans outil nécessaire en quelques minutes avec le format M.
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