31035.00 MXN
32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM
Módulo de memoria RAM de 32GB, tipo DDR4 con velocidad de 2666MHz, compatible con servidores y sistemas empresariales.
Tiendas donde comprar este producto
Otras tiendas donde encontrar este producto
Productos similares
32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM
El 32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM es un módulo de memoria DDR4 diseñado específicamente para entornos empresariales y servidores que requieren alta fiabilidad, rendimiento consistente y protección contra errores. Su arquitectura dual rank con registro (buffered) garantiza una integración estable en sistemas críticos.
Arquitectura y Diseño
- Formato: DIMM de 288 pines, ideal para servidores y estaciones de trabajo de alta densidad.
- Configuración interna: 1 x 32 GB con una organización de chip X4 (4096 × 72).
- Dual Rank: Permite un mayor ancho de banda y mejor utilización del bus de memoria.
- Registro (Buffered): Reduce la carga eléctrica sobre el controlador de memoria, aumentando la estabilidad en configuraciones con múltiples módulos.
- Voltaje: 1.2 V, optimizado para eficiencia energética sin comprometer el rendimiento.
Especificaciones Técnicas Clave
| Característica | Valor |
|---|---|
| Capacidad Total | 32 GB (32768 MB) |
| Frecuencia de Operación | 2666 MHz (PC4-21300) |
| Latencia CAS | CL19 (19‑19‑19) |
| Tipo de Memoria | DDR4 SDRAM, DIMM 288‑PIN |
| E/S y Protección | ECC (Error Correcting Code) con Data Integrity Check activado. |
| Tipo de Registro | Registered (Buffer) |
| Voltaje Operativo | 1.2 V |
| Compatibilidad de Sistema | Diseñado para plataformas HPE y sistemas compatibles con DDR4 ECC. |
Beneficios Clave en Entornos Empresariales
- Fiabilidad Mejorada: La combinación de ECC y registro garantiza que los datos se corrijan automáticamente, reduciendo la probabilidad de fallos críticos.
- Rendimiento Consistente: La latencia CL19 y la frecuencia de 2666 MHz proporcionan un equilibrio óptimo entre velocidad y estabilidad en cargas de trabajo intensivas.
- Eficiencia Energética: El bajo voltaje de operación minimiza el consumo energético, lo que es esencial para centros de datos con altos requisitos de eficiencia.
- Escalabilidad: La arquitectura dual rank permite la expansión sin sacrificar rendimiento, ideal para servidores que requieren grandes cantidades de memoria.
Aplicaciones Típicas
Este módulo es perfecto para:
- Servidores de misión crítica (HP ProLiant, HPE Superdome)
- Plataformas de virtualización y contenedores que demandan alta densidad de memoria.
- Entornos de bases de datos empresariales donde la integridad de los datos es primordial.
- Aplicaciones de análisis en tiempo real y big data que requieren un acceso rápido a grandes volúmenes de información.
Compatibilidad con Sistemas HPE
El módulo está optimizado para la arquitectura de memoria de Hewlett Packard Enterprise, garantizando:
- Integración sin problemas en configuraciones de servidor HPE con soporte ECC.
- Soporte completo para el Data Integrity Check (DIC), una característica avanzada que verifica la integridad de los datos a nivel de bit.
- Compatibilidad con controladores de memoria y firmware actualizados por HPE, asegurando un rendimiento máximo en cualquier entorno empresarial.
Consideraciones de Instalación
- Asegúrese de que el sistema soporte módulos DDR4 ECC registrados antes de la instalación.
- Instale los módulos en pares para aprovechar al máximo la arquitectura dual rank y mantener la coherencia del bus.
- Verifique las especificaciones de voltaje y frecuencia en la documentación del servidor para evitar incompatibilidades.
Resumen Ejecutivo
El 32GB 2RX4 PC4-2666V-R Smart MEM combina capacidad, rendimiento y fiabilidad en un solo módulo. Su diseño dual rank con registro y soporte ECC lo convierte en la elección ideal para servidores empresariales que demandan estabilidad a largo plazo y protección de datos sin comprometer el rendimiento.
Conclusión
Para organizaciones que dependen de sistemas críticos, este módulo ofrece una solución robusta que garantiza integridad de datos, eficiencia energética y escalabilidad. Su compatibilidad con la arquitectura HPE y su enfoque en la protección contra errores lo posicionan como un componente esencial para cualquier infraestructura de TI que busque confiabilidad y rendimiento sostenido.
| Este producto en Comparor | |
|---|---|
|
Categoría
Este producto está catalogado en nuestra tienda en estas categorías
|
|
|
Internacional
Encuentre este producto en alguna de nuestras tiendas internacionales
|
|
| Colores
Colores predominantes en el producto |
|
| Tags | Memoria Memoria ram Memoria dual rank Memoria ram ddr4 Memoria RAM ECC Memoria RAM 32GB Memoria PC4-21300 Memoria ram 2666mhz Memoria Servidor 32GB Memoria RAM Dual Rank Memoria ram hpe Memoria módulo 32GB Memoria hpe 32gb Memoria hpe ddr4 Memoria ram 32gb ddr4 Memoria ram 32gb hpe Memoria ram 32gb bus 2666 Modulo memoria ddr4 32gb Modulo memoria 32gb bus 2666 Modulo memoria 1x32gb ddr4 Modulo memoria 1x32gb hpe Modulo memoria 815100b21 Modulo memoria 32gb ecc Modulo memoria 32gb cl19 Modulo memoria 2666mhz pc4-21300 Modulo memoria dual rank Modulo memoria hpe smartmemory Modulo memoria ddr4 2666mhz Modulo memoria hpe 815100-b21 Memoria ram 2666 Memoria ram cl19 Memoria hpe 2666mhz Memoria hpe cl19 Memoria ecc 2666mhz Memoria 815100-b21 Memoria cl19 2666mhz |
| Identificadores | |
| Marca | ![]() Hewlett Packard Enterprise es una empresa de tecnología que ofrece soluciones de TI para empresas de todos los tamaños. Ofrece soluciones de infraestructura, cloud, big data, seguridad y servicios. |
| MPN | Hewlett Packard Enterprise 815100-B21#0D1 |
| Modelo | Hewlett Packard Enterprise 815100-B21#0D1 |
| ID | 5220989 |
| Dimensiones / Peso | |
| Características principales | |
|
Clasificación de memoria Tipo de tecnología de la memoria RAM, como DDR3, DDR4, DDR5 o LPDDR3. Este atributo indica el estándar físico y de rendimiento que utiliza el módulo, lo cual es esencial para verificar compatibilidad con la placa base y determinar las velocidades máximas soportadas.
|
2 |
|
Diseño de memoria Indica cuántos módulos de memoria están incluidos en el producto y la capacidad individual de cada uno, expresada con su unidad habitual (por ejemplo, GB). Este atributo ayuda a comprender la configuración interna de la memoria y facilita comparaciones entre productos.
|
1 x 32 GB |
|
ECC Indica si el producto cuenta con la característica o función especificada. El valor puede ser "Sí" (disponible) o "No" (no disponible).
|
Sí |
|
Frecuencia Valor que indica la frecuencia de operación o señal de un dispositivo, expresada en hertz (Hz). Representa cuántos ciclos por segundo se generan o reciben y es esencial para asegurar compatibilidad con fuentes de alimentación, redes u otros equipos. Se interpreta como un número con unidad de frecuencia.
|
2666 MHz |
|
Latencia Tiempo que tarda la memoria RAM en responder a una solicitud de lectura o escritura, medido típicamente en milisegundos (ms) o en ciclos de reloj. Los valores pueden expresarse como un número con unidad (por ejemplo, "4 µs" o "15 ms") o mediante códigos de latencia específicos del fabricante (por ejemplo, "CL16", "CL22").
|
CL19 |
|
Memoria interna Capacidad de almacenamiento interno disponible en el dispositivo, expresada con su unidad de medida (por ejemplo, GB o MB). Indica la cantidad total de memoria que puede utilizarse para instalar aplicaciones, guardar datos y ejecutar el sistema operativo.
|
32768 MB |
|
Tipo de memoria Indica el tipo o modelo de la memoria de acceso aleatorio (RAM) instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
|
288-PIN DIMM |
|
Tipo de memoria con búfer Indica si la memoria RAM cuenta o no con un búfer interno que mejora su rendimiento y estabilidad. Los valores comunes son "Registered (buffered)" para memorias con búfer y "Unregistered (unbuffered)" para memorias sin él.
|
REGISTERED (BUFFERED) |
|
Tipo de memoria interna Indica el tipo o modelo de la memoria RAM instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
|
DDR4 |
|
Voltaje de memoria El voltaje de la memoria indica el nivel de tensión eléctrica que debe recibir o suministrar una unidad de memoria (RAM, flash, etc.). Se expresa en voltios (V) y puede ser un valor único o un rango. Este atributo es esencial para garantizar la compatibilidad entre la memoria y el controlador del sistema.
|
1.2 V |


